（記者李靜音／高雄報導）國立中山大學晶體研究中心是臺灣唯一能生長次世代半導體碳化矽（SiC）的實驗室，已率先成功生長出直徑6吋的碳化矽晶體塊材。中山大學材料與光電科學學系教授兼晶體研究中心主任周明奇指出，研發過程結合中鋼、中鋼碳素等國內企業專業，除在石墨隔熱材料、坩堝及晶體生長設備等領域助攻MIT產業升級，今年7月起更技轉臺灣應用晶體公司及其所屬集團，簽訂5年5千萬技術移轉案，助攻臺灣半導體材料領航優勢。
第三類（次世代）半導體材料碳化矽（SiC）已發展數十年，具備低耗損、高功率、低雜訊、散熱佳等不可取代的特性，但晶體生長的技術門檻高。周明奇強調，第三類半導體材料碳化矽晶體是國家的重要戰略物資，可多元應用於電動車、光電、衛星通訊、國防、生醫等領域，中山大學團隊創全國學研單位之先，已取得晶體生長關鍵突破，成功生長6吋導電型（n-type）4H碳化矽單晶，並在品質穩定、生長速度等面向持續優化。
周明奇表示，今年7月起，中山大學將6吋碳化矽晶體相關技術移轉至臺灣應用晶體公司及其所屬集團，並簽訂5年5千萬的高額技轉案，以每年1千萬專屬授權的買斷合約形式進行，這也代表該集團正式跨入次世代半導體領域。雙方於未來5年在6吋、8吋大尺寸的導電型（n-type）與半絕緣型（Semi-insulating Silicon Carbide; SI.-SiC）4H、6H碳化矽單晶，都將攜手合作。(圖/中山大學提供)
